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SUP60N02-4m5P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
150
120
1000
Limited by r DS(on) *
90
100
10 μs, 100 μs
1 ms
10 ms
Package Limited
10
100 ms
60
30
0
1
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
1 s, 10 s
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
100
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Drain Current vs. Ambient Temperature
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich r DS(on) is specified
Safe Operating Area
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?69821.
Document Number: 69821
S-80182-Rev. A, 04-Feb-08
www.vishay.com
5
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